CN EN

© 2021 浪声. All Rights Reserved.
  • GIXRD应用案例——单晶硅上镀100nm的金薄膜衍射分析

    应用解决方案 | 日期:2023-08-29 | 阅读:

薄膜简介



薄膜材料是一种具有相对较小厚度的材料,通常在纳米到微米尺度范围内。这些材料具有特定的性质和应用,常常被用于电子、光学、能源、生物医学等领域制造各种器件和技术。薄膜材料的种类多样,用途广泛。常见的有金属薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、光学薄膜等。


掠入射XRD(GIXRD技术在表征中的应用


X射线测试技术被广泛用于各种薄膜材料的表征。薄膜材料厚度比较薄,通常需要依附于一定的基底材料之上。而常规XRD测试,X射线的穿透深度一般在几个微米到几十个微米,远远大于薄膜的厚度,导致薄膜的信号会受到基底的影响,来自基底的强大信号会把薄膜的信号掩盖掉。另外,随着衍射角度的增加,X射线在样品上的照射面积逐渐减小,X射线只能辐射到部分样品,无法利用整个样品的体积,衍射信号弱。


掠入射XRD(GIXRD)是专门用来测试薄膜样品的手段。“掠入射”的含义为X射线的入射角θ很小(<5°),入射的X射线几乎与样品表面平行,当X射线的入射角变小时,其入射深度变浅,有利于减小基底信号对结果的影响,有利于增强薄膜信号的强度 ;同时随入射角小,照射面积也增大,增加了样品参与衍射的体积。

GIXRD应用案例——单晶硅上镀100nm的金薄膜衍射分析(图1)

GIXRD中入射角和入射深度及照射面积的关系


分析案例


本次实验使用单晶硅上镀100nm的金薄膜(记为Au/Si)作为测试样品,采用界FRINGE桌面式X射线衍射仪对该样品进行常规分析和GIXRD分析对比。


  • 待测样品图


GIXRD应用案例——单晶硅上镀100nm的金薄膜衍射分析(图2)


  • 仪器测试参数设置


XRD仪器参数:

仪器型号:界FRINGE  靶材Cu靶 
管压管流:0 kV、20 mA 扫描模式  常规扫描&掠入射扫描 
角度范围20~75°入射角
步进角度0.04°/step  积分时间600 ms/step 


扫描参数:

GIXRD应用案例——单晶硅上镀100nm的金薄膜衍射分析(图3)

左:掠入射扫描参数设置    右:常规扫描参数设置



  • 检测结果展示

GIXRD应用案例——单晶硅上镀100nm的金薄膜衍射分析(图4)

Au/Si样品的衍射图谱(常规扫描)



GIXRD应用案例——单晶硅上镀100nm的金薄膜衍射分析(图5)

Au/Si样品的衍射图谱(掠入射扫描)



  • 结论


通过以上测试结果分析可知,使用常规扫描模式采集的衍射图谱,在2θ=69.13°左右出现了Si(004)晶面的衍射峰,其峰强度异常高,这是来自于衬底单晶硅的强烈信号,同时也出现了Au(111)晶面的微弱的衍射信号。而使用掠入射模式采集的衍射图谱可知单晶硅Si(004)晶面的衍射峰非但不会出现,同时单晶Si上的Au薄膜衍射峰会很明显的展现出来。